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STP16NE06LSLASHFP中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STP16NE06LSLASHFP
廠商型號

STP16NE06LSLASHFP

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE] POWER MOSFET

文件大小

70.66 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-17 22:58:00

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STP16NE06LSLASHFP規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size” process whereby a single body is implanted on a strip layout structure. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturingreproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.09 ?

■ AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY

■ 100% AVALANCHE TESTED

■ 175oC OPERATING TEMPERATURE

■ HIGH dV/dt CAPABILITY

■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

APPLICATIONS

■ DC MOTOR CONTROL

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS

■ SYNCHRONOUS RECTIFICATION

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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