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STP16N65M2

N溝道650 V、0.32 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220封裝; ? Extremely low gate charge \n? Excellent output capacitance (Coss) profile \n? 100% avalanche tested \n? Zener-protected;

This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STP16N65M2

絲印：16N65M2；Package：TO-220；N-channel 650 V, 0.32 ??typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220 and IPAK packages

Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETs developedusingMDmesh?M2technology. Thankstotheirstriplayoutandimprovedvertical structure,thedevicesexhibitlowon-resistance andoptimizedswitchingcharacteristics,rendering themsuitableforthemostdemandinghigh effic

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STP16N65M2

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STU16N65M2

N-channel650V,0.32??typ.,11AMDmeshM2PowerMOSFETsinTO-220andIPAKpackages

Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETs developedusingMDmesh?M2technology. Thankstotheirstriplayoutandimprovedvertical structure,thedevicesexhibitlowon-resistance andoptimizedswitchingcharacteristics,rendering themsuitableforthemostdemandinghigh effic

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STP16NE06功率三極管

ST/意法
TO-220

ST/意法

相關企業(yè)：深圳和潤天下電子科技有限公司

ST/意法

技術參數(shù)

  • Package：

    TO-220AB

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    650

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.36

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    11

  • PTOT_max(W)：

    110

  • Qg_typ(nC)：

    19.5

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STP16N65M2供應商 更新時間2025-7-30 19:27:00

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