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STP11N65M5中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
STP11N65M5 |
| 功能描述 | N-channel 650 V, 0.43 廓 typ., 9 A MDmesh??V Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages |
| 文件大小 |
1.2819 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
25 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-7-31 23:00:00 |
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STP11N65M5規(guī)格書詳情
描述 Description
These devices are N-channel MDmesh? V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH? horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on resistance, which is unmatched among silicon based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
特性 Features
■ Worldwide best RDS(on) * area
■ Higher VDSS rating and high dv/dt capability
■ Excellent switching performance
■ 100 avalanche tested
Applications
■ Switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STP11N65M5
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
TO-220-3 |
12700 |
買原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
22+ |
TO-220-3 |
10000 |
只有原裝,原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
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詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu) |
詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
2511 |
TO-220-3 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
TO-220-3 |
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詢價 |
