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STP10NM60ND中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
STP10NM60ND |
| 功能描述 | N-channel 600 V, 0.57, 8 A, DPAK, TO-220FP, TO-220 FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | TO-22 |
| 文件大小 |
1.2278 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
19 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-7-31 23:00:00 |
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STP10NM60ND規(guī)格書詳情
描述 Description
This FDmesh? II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh? technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low onresistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
■ Extremely high dv/dt avalanche capabilities
Applications
■ Switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STP10NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
22 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
TO-220-3 |
12700 |
買原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
22+ |
TO-220-3 |
10000 |
只有原裝,原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu) |
詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP會員,誠信經(jīng)營，一手貨源，原裝正品可零售！ |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
2511 |
TO-220-3 |
16900 |
電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
TO-220-3 |
12820 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
TO-220-3 |
16900 |
原裝，正品 |
詢價 |
