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STO47N60M6

N溝道600 V、70 mOhm典型值、36 A MDmesh M6功率MOSFET,TO-LL封裝; ? 降低了開關(guān)損耗 \n? 與上一代相比,具有更低的面積值 \n? 低柵極輸入電阻 \n? 經(jīng)過100%雪崩測試 \n? 穩(wěn)壓保護 \n? 高沿面封裝 \n? 分離驅(qū)動源極引腳使其具有出色的開關(guān)性能;

新型MDmesh? M6技術(shù)融合了眾所周知的MDmesh系列中SJ MOSFET的最新技術(shù)。意法半導(dǎo)體在其上一代MDmesh器件技術(shù)基礎(chǔ)上構(gòu)建了新型M6工藝,不僅改進了RDS(on) 密度,同時提升了開關(guān)特性,為實現(xiàn)更高的應(yīng)用效率提供了友好的用戶體驗。\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STO47N60M6

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/47n60m6/marking.html">47N60M6;Package:TO-LLtypeA;N-channel 600 V, 70 m廓 typ., 36 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a TO??L package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STL47N60M6

N-channel600V,70m廓typ.,31AMDmesh??M6PowerMOSFETinaPowerFLAT??8x8HVpackage

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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STOTG04EQTR

ST
QFN-24

ST

相關(guān)企業(yè):深圳市凱美芯科技有限公司

ST

STP08DP05XTTR

ST
tssop16

ST

技術(shù)參數(shù)

  • Package:

    TO-LL

  • Grade:

    Industrial

  • VDSS(V):

    600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.08

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    36

  • PTOT_max(W):

    255

  • Qg_typ(nC):

    52.2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST
23+
TO-LL
12500
ST系列在售,可接長單
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ST(意法半導(dǎo)體)
24+
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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ST
24+
TO-220F
200000
原裝進口正口,支持樣品
詢價
更多STO47N60M6供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 17:31:00