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STO36N60M6

N溝道600 V、85 mOhm典型值、30 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-LL封裝; ? ? 減少開關(guān)損耗 \n? 與上一代相比，具有更低的面積值 \n? 低柵極輸入電阻 \n? 經(jīng)過100％雪崩測試 \n? 穩(wěn)壓保護 \n ?強爬電距離封裝 \n? ? 分離驅(qū)動源極引腳使其具有出色的開關(guān)性能;

新型MDmesh?M6技術(shù)融合了眾所周知的MDmesh?系列中SuperJunction MOSFET的最新技術(shù)。 意法半導(dǎo)體在其上一代MDmesh?器件技術(shù)基礎(chǔ)上構(gòu)建了新型M6工藝， 不僅改進了RDS(on) 密度，同時提升了開關(guān)特性，為實現(xiàn)更高的應(yīng)用效率提供了友好的用戶體驗。\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STO36N60M6

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/36n60m6/marking.html">36N60M6；Package：TO-LLtypeA；N-channel 600 V, 85 m廓 typ., 30 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a TO??L package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STB36N60M6

N-channel600V,85mΩtyp.,30AMDmesh?M6PowerMOSFETinaD2PAKpackage

Features ?Reducedswitchinglosses ?LowerRDS(on)xareavspreviousgeneration ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?Zener-protected Applications ?Switchingapplications Description ThenewMDmesh?M6technologyincorporates themostrecentadvancementstothewell

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STF36N60M6

N-channel600V,85mtyp.,30AMDmeshTMM6PowerMOSFETinaTO-220FPpackage

Features ?Reducedswitchinglosses ?LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?Zener-protected Description ThenewMDmesh?M6technologyincorporatesthemostrecentadvancementsto thewell-knownandconsolidatedMDmeshfamilyof

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STL36N60M6

N-channel600V,91m廓typ.,25AMDmesh??M6PowerMOSFETinaPowerFLAT??8x8HVpackage

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STP36N60M6

N-channel600V,85mtyp.,30AMDmeshTMM6PowerMOSFETsinTO-220andTO-247packages

Features ?Reducedswitchinglosses ?LowerRDS(on)xareavspreviousgeneration ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?Zener-protected Description ThenewMDmesh?M6technologyincorporates themostrecentadvancementstothewell-known andconsolidatedMDmeshfamilyof

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STW36N60M6

N-channel600V,85mtyp.,30AMDmeshTMM6PowerMOSFETsinTO-220andTO-247packages

Features ?Reducedswitchinglosses ?LowerRDS(on)xareavspreviousgeneration ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?Zener-protected Description ThenewMDmesh?M6technologyincorporates themostrecentadvancementstothewell-known andconsolidatedMDmeshfamilyof

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    TO-LL

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.099

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    30

  • PTOT_max(W)：

    230

  • Qg_typ(nC)：

    44.3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST(意法半導(dǎo)體)
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TO-LL-8
6000
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ST系列在售,可接長單
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更多STO36N60M6供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 13:18:00

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