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STN3NF06L

N-CHANNEL 60V - 0.07ohm - 4A SOT-223 STripFET??II POWER MOSFET

Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique“singlefeaturesize”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STN3NF06L

絲印：3NF06L；Package：SOT223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GENERALFEATURES 60V,4A,Rps(on)=85mQ@Vgs=10V. Rpsion)=100mQ@Vgs=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRps(on)- Ruggedandreliable. Leadfreeproductisacquired. SOT-223package.

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

STN3NF06L

N溝道60 V、0.07 Ohm典型值、4 A STripFET II功率MOSFET，SOT-223封裝; ? Exceptional dv/dt capability \n? 100% avalanche tested \n? Low threshold drive;

This Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET? process is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore ideal as a primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for Telecom and Computer applications. It is also suitable for any application with low gate charge drive requirements.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STN3NF06L

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

STN3NF06L

N-channel 60 V, 0.07 廓, 4 A, SOT-223 STripFET??II Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STN3NF06L_08

N-channel 60 V, 0.07 廓, 4 A, SOT-223 STripFET??II Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    SOT-223

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    60

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)：

    0.12

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.1

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    4

  • PTOT_max(W)：

    2.5

  • Qg_typ(nC)：

    7

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更多STN3NF06L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 14:10:00

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