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STLD128DNT4分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
STLD128DNT4 |
參數(shù)屬性 | STLD128DNT4 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 400V 4A DPAK |
功能描述 | High voltage fast-switching NPN power transistor |
封裝外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
425.38 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
14 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
中文名稱 | 意法半導體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-7 22:58:00 |
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STLD128DNT4規(guī)格書詳情
STLD128DNT4屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STLD128DNT4晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
描述 Description
The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies.
特性 Features
■ High voltage capability
■ Low spread of dynamic parameters
■ Very high switching speed
■ Large RBSOA
■ Integrated antiparallel collector-emitter diode
Applications
■ Electronic ballast for fluorescent lighting
■ Flyback and forward single transistor low power converters
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
STLD128DNT4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
1V @ 400mA,2A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
250μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
8 @ 2A,5V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應商器件封裝:
DPAK
- 描述:
TRANS NPN 400V 4A DPAK
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
STM |
2016+ |
TO252 |
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ST/意法半導體 |
23+ |
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ST/意法半導體 |
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ST/意法半導體 |
24+ |
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