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STL90N3LLH6中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STL90N3LLH6
廠商型號

STL90N3LLH6

功能描述

N-channel 30 V, 0.0038 廓 typ., 24 A STripFET??VI DeepGATE?? Power MOSFET in PowerFLAT??5x6 package

絲印標(biāo)識

90N3LLH6

封裝外殼

PowerFLAT

文件大小

725.82 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-6 23:00:00

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STL90N3LLH6規(guī)格書詳情

描述 Description

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6th generation of STripFET? DeepGATE? technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages.

特性 Features

? RDS(on) * Qg industry benchmark

? Extremely low on-resistance RDS(on)

? High avalanche ruggedness

? Low gate drive power losses

? Very low switching gate charge

Applications

? Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STL90N3LLH6

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 30V 0.0028 24A STripFET VI

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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