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STL8DN6LF6AG

汽車(chē)級(jí)雙路N溝道60 V、21 mOhm典型值、32 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6雙島封裝; ? AEC-Q101 qualified \n? Very low on-resistance \n? Very low gate charge \n? High avalanche ruggedness \n? Low gate drive power loss \n? Wettable flank package;

This device is a dual N-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STL8DN6LF6AG

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/8dn6lf6/marking.html">8DN6LF6；Package：PowerFLAT；Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 m廓 typ., 32 A STripFET??F6 Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 DI package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STS8DN6LF6AG

Automotive-gradedualN-channel60V,21mtyp.,8ASTripFETF6PowerMOSFETinaSO-8package

Features ?AEC-Q101qualified ?Verylowon-resistance ?Verylowgatecharge ?Highavalancheruggedness ?Lowgatedrivepowerloss ?Logiclevel Description ThisdeviceisadualN-channelPowerMOSFETdevelopedusingtheSTripFETF6 technologywithanewtrenchgatestructure.Ther

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    PowerFLAT 5x6 double island WF

  • Grade：

    Automotive

  • VDSS(V)：

    60

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)：

    0.031

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.027

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    9.6

  • PTOT_max(W)：

    32

  • Qg_typ(nC)：

    27

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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PowerFLAT 5x6 double island WF
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更多STL8DN6LF6AG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 17:01:00

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