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STL52N60DM6	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package; ? 快速恢復(fù)體二極管 \n? 與上一代相比，具有更低的單位面積RDS(on)值 \n? 低柵極電荷、輸入電容和電阻 \n? 經(jīng)過(guò)100％雪崩測(cè)試 \n? 非常高的dv / dt耐用性 \n? 穩(wěn)壓保護(hù) \n? 分離驅(qū)動(dòng)源極引腳使其具有出色的開關(guān)性能; 該高電壓N-溝道功率MOSFET來(lái)自MDmesh DM6快速恢復(fù)二極管系列。與之前的MDmesh快速恢復(fù)二極管相比，DM6兼具超低恢復(fù)電荷（Qrr）和超快恢復(fù)時(shí)間（trr），并且在單位面積的RDS(on)值方面有了極大改進(jìn)，采用市場(chǎng)上最高效的開關(guān)行為之一，適用于要求最苛刻的高效橋式拓?fù)浜蚙VS移相轉(zhuǎn)換器。\n\n	STSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	ST
STL52N60DM6	文件：356.38 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 600 V, 72 m廓 typ., 45 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package; ? 快速恢復(fù)體二極管 \n? 與上一代相比，具有更低的單位面積RDS(on)值 \n? 低柵極電荷、輸入電容和電阻 \n? 經(jīng)過(guò)100％雪崩測(cè)試 \n? 非常高的dv / dt耐用性 \n? 穩(wěn)壓保護(hù) \n? 分離驅(qū)動(dòng)源極引腳使其具有出色的開關(guān)性能;

該高電壓N-溝道功率MOSFET來(lái)自MDmesh DM6快速恢復(fù)二極管系列。與之前的MDmesh快速恢復(fù)二極管相比，DM6兼具超低恢復(fù)電荷（Qrr）和超快恢復(fù)時(shí)間（trr），并且在單位面積的RDS(on)值方面有了極大改進(jìn)，采用市場(chǎng)上最高效的開關(guān)行為之一，適用于要求最苛刻的高效橋式拓?fù)浜蚙VS移相轉(zhuǎn)換器。\n\n

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