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STL50N6F7

絲印：50N6F7；Package：PowerFLAT；N-channel 60 V, 9 mΩ typ., 60 A STripFET? F7 Power MOSFET in a PowerFLAT? 5x6 package

Features ?AmongthelowestRDS(on)onthemarket ?Excellentfigureofmerit(FoM) ?LowCrss/CissratioforEMIimmunity ?Highavalancheruggedness Applications ?Switchingapplications Description ThisN-channelPowerMOSFETutilizes STripFET?F7technologywithanenhanced trenc

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STL50N6F7

N溝道60 V、9 mOhm典型值、60 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝; ? 與上一代相比，具有最低的Rx 面積值 \n? 出色的品質(zhì)因數(shù)（FoM） \n? 較低的Crss/Ciss 比值使得其具有更強的抗EMI能力 \n? 堅固的抗雪崩能力;

該N-溝道功率MOSFET利用STripFET?F7技術(shù)和增強型溝槽柵極結(jié)構(gòu)，可降低通態(tài)電阻，同時降低內(nèi)部電容和柵極電荷，從而使開關(guān)速度更快、能效更高。\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STL7N60M2

ST
PowerFLAT-5x5-12

ST

相關(guān)企業(yè)：深圳市拓億芯電子有限公司

ST

STL90N10F7

ST/意法
DFN5X6

ST/意法

相關(guān)企業(yè)：深圳市富芯樂電子科技有限公司

ST/意法

STLD40DPUR

ST
QFN8

ST

相關(guān)企業(yè)：深圳市賽特興科技有限公司

ST

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    PowerFLAT 5x6

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    60

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.011

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    50

  • PTOT_max(W)：

    71

  • Qg_typ(nC)：

    17

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更多STL50N6F7供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 19:27:00

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