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STL42P4LLF6

絲印：42P4LLF6；Package：PowerFLAT；P-channel 40 V, 0.0155 廓 typ.,42 A, STripFET??F6 Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 package

Description ThisdeviceisaP-channelPowerMOSFET developedusingtheSTripFET?F6technology, withanewtrenchgatestructure.Theresulting PowerMOSFETexhibitsverylowRDS(on)inall packages. Features ?Verylowon-resistance ?Verylowgatecharge ?Highavalancheruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STL42P4LLF6

P溝道40 V、0.0155 Ohm典型值、42 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝; ? Very low on-resistance \n? Very low gate charge \n? High avalanche ruggedness \n? Low gate drive power loss;

This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    PowerFLAT 5x6

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    -40

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)：

    0.026

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.018

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    -42

  • PTOT_max(W)：

    75

  • Qg_typ(nC)：

    22

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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原裝正品現(xiàn)貨,可開發(fā)票,假一賠十
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更多STL42P4LLF6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 14:21:00

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