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零件型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
STL40N10F7	文件：300 bytes Page：1 Pages	N溝道100 V、0.02 Ohm典型值、10 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝; ? 處于市面上最低的RDS(on) 行列 \n? 出色的品質(zhì)因數(shù)（FoM） \n? 較低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更強(qiáng)的抗EMI能力 \n? 堅(jiān)固的抗雪崩能力; 該器件是采用STripFET? F7技術(shù)開(kāi)發(fā)的N溝道功率MOSFET，具有增強(qiáng)型溝槽柵極結(jié)，可降低通態(tài)電阻。同時(shí)，器件還能降低內(nèi)部電容和柵極電荷，從而使開(kāi)關(guān)速度更快、能效更高。\n\n	STSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	ST
STL40N10F7	文件：851 Kbytes Page：15 Pages	Among the lowest RDS on the market	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

零件型號(hào)

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功能描述

制造商上傳企業(yè)

LOGO

STL40N10F7

文件：300 bytes

Page：1 Pages

N溝道100 V、0.02 Ohm典型值、10 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝; ? 處于市面上最低的RDS(on) 行列 \n? 出色的品質(zhì)因數(shù)（FoM） \n? 較低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更強(qiáng)的抗EMI能力 \n? 堅(jiān)固的抗雪崩能力;

該器件是采用STripFET? F7技術(shù)開(kāi)發(fā)的N溝道功率MOSFET，具有增強(qiáng)型溝槽柵極結(jié)，可降低通態(tài)電阻。同時(shí)，器件還能降低內(nèi)部電容和柵極電荷，從而使開(kāi)關(guān)速度更快、能效更高。\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STL40N10F7

文件：851 Kbytes

Page：15 Pages

Among the lowest RDS on the market

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STMICROELECTRONICS

技術(shù)參數(shù)

Package：
PowerFLAT 5x6
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
100
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.024
Drain Current (Dc)_max(A)：
10
PTOT_max(W)：
5
Qg_typ(nC)：
14

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	STL40N10F7	ST/意法	25+	DFN56-8	20300	ST/意法原裝特價(jià)STL40N10F7即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨	詢價(jià)
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