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STL3N10F7

N溝道100 V、0.062 Ohm典型值、4 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 2x2封裝; ? N-溝道增強(qiáng)模式 \n? 低柵極電荷 \n? 100 ％額定雪崩;

該器件使用ST專有的STripFET?技術(shù)的第七代設(shè)計(jì)規(guī)則，具有新的柵極結(jié)構(gòu)。因而，功率MOSFET在不同封裝中都能呈現(xiàn)最低的RDS(on)。\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STL3N10F7

N-channel enhancement mode

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    PowerFLAT 2x2

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    100

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.07

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    4

  • PTOT_max(W)：

    2.4

  • Qg_typ(nC)：

    7.8

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PowerFLAT-2x2-6
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更多STL3N10F7供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 17:01:00

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