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STL260N3LLH6

Very low gate charge

Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingtheSTripFET?H6technology,withanewtrenchgatestructure.TheresultingPowerMOSFETexhibitsverylowRDS(on)inallpackages. Features ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Verylowgatecharge ?Highavalancheruggednes

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多STL260N3LLH6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-21 18:34:00

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