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STL20N6F7

N溝道60 V、0.0046 Ohm典型值、20 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 3.3x3.3封裝; ? 處于市面上最低的 RDS(on)行列 \n? 出色的品質(zhì)因數(shù)（FoM） \n? 較低的 Crss/Ciss比值使得其具有更強(qiáng)的抗EMI能力 \n? 堅(jiān)固的抗雪崩能力;

該N-溝道功率MOSFET利用STripFET?F7技術(shù)和增強(qiáng)型溝槽柵極結(jié)構(gòu)，可降低通態(tài)電阻，同時(shí)降低內(nèi)部電容和柵極電荷，從而使開關(guān)速度更快、能效更高。\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STL20N6F7

High avalanche ruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STL20N6F7

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/ap65n06df/marking.html">AP65N06DF；Package：DFN3X3-8L；60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    PowerFLAT 3.3x3.3

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    60

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.0054

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    20

  • PTOT_max(W)：

    3

  • Qg_typ(nC)：

    30

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多STL20N6F7供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 14:07:00

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