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STL19N60DM2

N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package; ? Fast-recovery body diode\n? Extremely low gate charge and input capacitance\n? Low on-resistance RDS(on)? 100% avalanche tested\n? Extremely high dv/dt ruggedness\n? Zener-protected;

This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge and time (Qrr, trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.\n \n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STL19N60DM2

Fast-recovery body diode

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    PowerFLAT 8x8 HV

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.32

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    11

  • PTOT_max(W)：

    90

  • Qg_typ(nC)：

    20

  • Features：

    Fast recovery diode

  • Reverse Recovery Time_typ(ns)：

    125

  • Qrr_typ(nC)：

    675

  • Peak Reverse Current_nom(A)：

    11

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更多STL19N60DM2供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 13:02:00

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