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STL18N65M5

N溝道650 V、0.215 Ohm典型值、15 A MDmesh M5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封裝; ? Extremely low RDS(on) \n? Low gate charge and input capacitance \n? Excellent switching performance \n? 100% avalanche tested;

This device is an N-channel Power MOSFET based on the MDmesh M5 innovative vertical process technology combined with the well-known PowerMESH horizontal layout. The resulting product offers extremely low on-resistance, making it particularly suitable for applications requiring high power and superior efficiency.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STL18N65M5

Very low intrinsic capacitance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STP18N65M5

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STP18N65M5

N-channel650V,0.198typ.,15AMDmeshVPowerMOSFETinTO-220FP,IPAK,TO-220andTO-247packages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STW18N65M5

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

技術參數

  • Package：

    PowerFLAT 5x6 HV

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    650

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.24

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    15

  • PTOT_max(W)：

    57

  • Qg_typ(nC)：

    31

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STL18N65M5供應商 更新時間2025-7-30 19:27:00

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