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STL18N65M2

N溝道650 V、0.29 Ohm典型值、8 A MDmesh M2功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封裝; ? Extremely low gate charge \n? Excellent output capacitance (Coss) profile \n? 100% avalanche tested \n? Zener-protected;

This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters. \n\n

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技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    PowerFLAT 5x6 HV

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    650

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.365

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    8

  • PTOT_max(W)：

    57

  • Qg_typ(nC)：

    21.5

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更多STL18N65M2供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 20:12:00

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