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STL180N6F7	文件：300 bytes Page：1 Pages	N溝道60 V、1.9 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝; ? Among the lowest RDS(on) on the market \n? Excellent FoM (figure of merit) \n? Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity \n? High avalanche ruggedness; This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET? F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.\n\n	STSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	ST
STL180N6F7	文件：3.96196 Mbytes Page：4 Pages	Compact reference design for low voltage brushless power tools based on STSPIN32F0B	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS

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STL180N6F7

文件：300 bytes

Page：1 Pages

N溝道60 V、1.9 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝; ? Among the lowest RDS(on) on the market \n? Excellent FoM (figure of merit) \n? Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity \n? High avalanche ruggedness;

This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET? F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STL180N6F7

文件：3.96196 Mbytes

Page：4 Pages

Compact reference design for low voltage brushless power tools based on STSPIN32F0B

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STMICROELECTRONICS

技術(shù)參數(shù)

Package：
PowerFLAT 5x6
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
60
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.0016
Drain Current (Dc)_max(A)：
120
PTOT_max(W)：
150
Qg_typ(nC)：
60

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深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	STL180N6F7	STMicroelectronics	21+	PowerFlat?(5x6)	3000	100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)!	詢價
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更多STL180N6F7供應(yīng)商更新時間2025-7-29 13:02:00

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