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STL130N6F7

N溝道60 V、3 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝; ? 處于市面上最低的RDS(on)行列 \n? 出色的品質(zhì)因數(shù)（FoM） \n? 較低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更強(qiáng)的抗EMI能力 \n? 堅固的抗雪崩能力;

該N-溝道功率MOSFET利用STripFET?F7技術(shù)和增強(qiáng)型溝槽柵極結(jié)構(gòu)，可降低通態(tài)電阻，同時降低內(nèi)部電容和柵極電荷，從而使開關(guān)速度更快、能效更高。\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STL130N6F7

High avalanche ruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STB130N6F7

LowCrss/CissratioforEMIimmunity

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STD130N6F7

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STP130N6F7

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STP130N6F7

Highavalancheruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    PowerFLAT 5x6

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    60

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.0035

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    130

  • PTOT_max(W)：

    125

  • Qg_typ(nC)：

    45

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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PowerFLAT-
50000
原裝正品
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原裝
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20300
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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只做原裝 有掛有貨 假一賠十
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ST(意法半導(dǎo)體)
24+
PowerFLAT-5x6
9908
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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更多STL130N6F7供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 15:38:00

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