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STK5MFU3C1A-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊規(guī)格書PDF中文資料

STK5MFU3C1A-E
廠商型號(hào)

STK5MFU3C1A-E

參數(shù)屬性

STK5MFU3C1A-E 封裝/外殼為28 PowerSIP 模塊,23 引線,成型引線;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊;產(chǎn)品描述:MOD IPM 30A 600V 2-IN-1 23SIP

功能描述

2-in-1 PFC and Inverter Intelligent Power Module
MOD IPM 30A 600V 2-IN-1 23SIP

封裝外殼

28 PowerSIP 模塊,23 引線,成型引線

文件大小

681.87 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-3 23:00:00

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STK5MFU3C1A-E規(guī)格書詳情

STK5MFU3C1A-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的STK5MFU3C1A-E功率驅(qū)動(dòng)器模塊功率驅(qū)動(dòng)器模塊為電源組件(通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上,后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時(shí)提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度,并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STK5MFU3C1A-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊

  • 包裝:

    管件

  • 類型:

    IGBT

  • 配置:

    3 相

  • 電壓 - 隔離:

    2000Vrms

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    28 PowerSIP 模塊,23 引線,成型引線

  • 描述:

    MOD IPM 30A 600V 2-IN-1 23SIP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
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