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STI300N4F6

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/300n4f6/marking.html">300N4F6；Package：I2PAK；N-channel 40 V, 1.7 m廓 typ., 160 A, STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET in a I?PAK package

Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingthe6thgenerationofSTripFET?DeepGATE?technology,withanewgatestructure.TheresultingPowerMOSFETexhibitsthelowestRDS(on)inallpackages. Features ■StandardlevelVGS(th) ■100avalancherated Applications ■

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STI300N4F6

N-channel 40 V, 1.7 mOhm, 160 A, STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a I2PAK package; ? Standard level VGS(th)? 100% avalanche rated;

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET? DeepGATE? technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.\n \n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    I2PAK

  • Grade：

    Automotive

  • VDSS(V)：

    40

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.0022

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    160

  • PTOT_max(W)：

    300

  • Qg_typ(nC)：

    240

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STI300N4F6供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 14:16:00

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