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STI150N10F7

N-channel 100 V, 0.0036 Ohm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in I2PAK package; ? 處于市面上最低的 RDS(on)行列\(zhòng)n? 出色的品質因數（FoM）? 較低的Crss/Ciss 比值使得其具有更強的抗EMI能力\n? 堅固的抗雪崩能力;

該N-溝道功率MOSFETs利用STripFET?F7技術和增強型溝槽柵極結構，可降低通態(tài)電阻，同時降低內部電容和柵極電荷，從而使開關速度更快、能效更高。\n \n

STSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STI150N10F7

High avalanche ruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STI150N10F7

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/i2pak/marking.html">I2PAK；Package：TO-262；isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STP150N10F7

N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

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Highavalancheruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STP150N10F7AG

AutomotiveN-channel100V,4.2m廓typ.,110A,STripFETF7PowerMOSFETinaTO-220package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

技術參數

  • Package：

    I2PAK

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    100

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.0042

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    110

  • PTOT_max(W)：

    250

  • Qg_typ(nC)：

    117

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STI150N10F7供應商 更新時間2025-7-29 16:33:00

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