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STH8NA80FI中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STH8NA80FI
廠商型號(hào)

STH8NA80FI

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

文件大小

45.09 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-6 13:14:00

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STH8NA80FI規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This series of POWER MOSFETS represents the most advanced high voltage technology. The optimized cell layout coupled with a new proprietary edge termination concur to give the device low RDS(on) and gate charge, unequalled ruggedness and superior switching performance.

■ TYPICAL RDS(on) = 1.3 ?

■ ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC

■ LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE GHARGE MINIMIZED

■ REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

■ DC-AC CONVERTERS FOR WELDING EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STH8NA80FI

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全稱:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
HITACHI
2450+
1206
6540
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