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STH80N10LF7-2AG數(shù)據(jù)手冊ST中文資料規(guī)格書
STH80N10LF7-2AG規(guī)格書詳情
描述 Description
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET? F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
特性 Features
? AEC-Q101 qualified
? Among the lowest RDS(on) on the market
? Excellent FoM (figure of merit)
? Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
? High avalanche ruggedness
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號
：STH80N10LF7-2AG
- 生產(chǎn)廠家
：ST
- Package
：H2PAK-2
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0095
- Drain Current (Dc)_max(A)
：80
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：45
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
H2PAK-3 |
8080 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
ST |
25+ |
TO-263 |
16900 |
原裝，請咨詢 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
H2PAK-3 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
原廠授權(quán)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢價 | ||
ST |
23+ |
TO-247 |
8795 |
詢價 | |||
ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
H2PAK-3 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO263 |
11200 |
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價 | ||
STH |
24+ |
SOT23-6 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
TO-3P |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
H2PAK-3 |
12700 |
買原裝認準中賽美 |
詢價 |
