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STH80N10F7-2

Ultra low on-resistance

Description Thesedevicesutilizethe7thgenerationofdesignrulesofST’sproprietarySTripFET?technology,withanewgatestructure.TheresultingPowerMOSFETexhibitsthelowestRDS(on)inallpackages. ?Extremelylowgatecharge ?Ultralowon-resistance ?Lowgateinputresistance A

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STH80N10F7-2

N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package; ? 極低的柵極電荷\n? 超低導(dǎo)通電阻? 低柵極輸入電阻;

該器件使用ST專有的STripFET?技術(shù)的第七代設(shè)計(jì)規(guī)則，具有新的柵極結(jié)構(gòu)。因而，功率MOSFET在不同封裝中都能呈現(xiàn)最低的RDS(on)。\n \n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STH80N10F7-2

Marking：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STH80N10F7-2

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    H2PAK-2

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    100

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.0095

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    80

  • PTOT_max(W)：

    110

  • Qg_typ(nC)：

    45

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST/意法半導(dǎo)體
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更多STH80N10F7-2供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 8:01:00

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