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STH47N60DM6-2AG中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STH47N60DM6-2AG
廠商型號(hào)

STH47N60DM6-2AG

功能描述

Automotive-grade N-channel 600 V, 70 m typ., 36 A MDmeshTM DM6 Power MOSFET in an H2PAK-2 package

文件大小

642.25 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-8-24 8:56:00

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STH47N60DM6-2AG規(guī)格書詳情

特性 Features

? AEC-Q101 qualified

? Fast-recovery body diode

? Lower RDS(on) per area vs previous generation

? Low gate charge, input capacitance and resistance

? 100 avalanche tested

? Extremely high dv/dt ruggedness

? Zener-protected

描述 Description

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh? DM6 fastrecovery

diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6

combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent

improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors

available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and

ZVS phase-shift converters.

Applications

? Switching applications

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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