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STH400N4F6-2

Automotive-grade N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 180 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in H2PAK-2 package; Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified\nLow gate charge\nVery low on-resistance\nHigh avalanche ruggedness\n;

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the 6thgeneration of STripFET? DeepGATE? technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibits the lowest RDS(on)in all packages.\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STH400N4F6-2

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/400n4f6/marking.html">400N4F6；Package：H2PAK-2；Automotive-grade N-channel 40 V, 0.85 m??typ.,180 A STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFETs

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    STH400N4F6-2

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 功能描述：

    POWER MOSFET - Tape and Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
STMicroelectronics
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H2Pak-2
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STMicroelectronics
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更多STH400N4F6-2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 14:37:00

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