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STH270N4F3-2

N-channel 40 V, 1.4 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in a H2PAK-2 package; ? Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified\n? Conduction losses reduced? Low profile, very low parasitic inductance, high current package;

This device is an N-channel Power MOSFET developed using STripFET? F3 technology. It is designed to minimize on-resistance and gatecharge to provide superior switching performance.\n \n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STH270N4F3-2

N-channel 40 V, 1.4 m廓 typ., 180 A STripFET III Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STH270N4F3-2

Marking：270N4F3；Package：H2PAK-2；N-channel 40 V, 1.4 m廓 typ., 180 A STripFET??III Power MOSFET in H2PAK-2 and H2PAK-6 packages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    H2PAK-2

  • Grade：

    Automotive

  • VDSS(V)：

    40

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.0017

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    180

  • PTOT_max(W)：

    300

  • Qg_typ(nC)：

    110

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更多STH270N4F3-2供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 13:02:00

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