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STH260N6F6-2中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STH260N6F6-2
廠商型號

STH260N6F6-2

功能描述

N-channel 60 V, 1.7 m廓 typ., 180 A STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET in H?PAK-2 package

文件大小

730.79 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-25 14:20:00

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STH260N6F6-2規(guī)格書詳情

描述 Description

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6th generation of STripFET? DeepGATE? technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages.

特性 Features

■ Low gate charge

■ Very low on-resistance

■ High avalanche ruggedness

Applications

■ Switching applications

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