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STH200N10WF7-2中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STH200N10WF7-2
廠商型號(hào)

STH200N10WF7-2

功能描述

N-channel 100 V, 3.2 mΩ typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET N-channel 100 V, 3.2 mΩ typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

200N10WF7

封裝外殼

H2PAK-2

文件大小

377.43 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-6 10:48:00

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STH200N10WF7-2規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

? Best-in-class SOA capability

? High current surge capability

? Extremely low on-resistance

Applications

? Hot-swap

? Electronic fuse

? Load switch

? In-rush current limiter

描述 Description

This N-channel Power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an

enhanced trench gate structure boosting linear mode withstanding capability and

providing a wider SOA combined with a very low on-state resistance. The resulting

MOSFET ensures the best trade-off between linear mode and switching operations.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法
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