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STGWA80H65FBAG

Automotive-gradetrenchgatefield-stop650V,80AhighspeedHBseriesIGBTinaTO-247longleads

Features AEC-Q101qualified Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C High-speedswitchingseries Minimizedtailcurrent VCE(sat)=1.65V(typ.)@IC=80A Tightparametersdistribution Saferparalleling Lowthermalresistance Applications PFC Highfrequencyconverters Descriptio

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGWT80H65FB

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGY80H65DFB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,80Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

產品屬性

  • 產品編號：

    STGWT80H65DFB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，80A

  • 開關能量：

    2.1mJ（開），1.5mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    84ns/280ns

  • 測試條件：

    400V，80A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST(意法半導體)
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更多STGWT80H65DFB供應商 更新時間2025-7-16 22:59:00

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