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STGWT60V60DF

Marking：GWT60V60DF；Package：TO-3P；Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed

Features ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?Tail-lessswitchingoff ?VCE(sat)=1.85V(typ.)@IC=60A ?Tightparameterdistribution ?Safeparalleling ?Lowthermalresistance ?Veryfastsoftrecoveryantiparalleldiode Applications ?Photovoltaicinverters ?Uninterr

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意法半導體意法半導體集團

STGWT60V60DF

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed

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STGWT60V60DF

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 80A 375W TO3P

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G60V60DF

Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,60Averyhighspeed

Features ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?Tail-lessswitchingoff ?VCE(sat)=1.85V(typ.)@IC=60A ?Tightparameterdistribution ?Safeparalleling ?Lowthermalresistance ?Veryfastsoftrecoveryantiparalleldiode Applications ?Photovoltaicinverters ?Uninterr

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GW60V60DF

Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,60Averyhighspeed

Features ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?Tail-lessswitchingoff ?VCE(sat)=1.85V(typ.)@IC=60A ?Tightparameterdistribution ?Safeparalleling ?Lowthermalresistance ?Veryfastsoftrecoveryantiparalleldiode Applications ?Photovoltaicinverters ?Uninterr

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GWT60V60DF

Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,60Averyhighspeed

Features ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?Tail-lessswitchingoff ?VCE(sat)=1.85V(typ.)@IC=60A ?Tightparameterdistribution ?Safeparalleling ?Lowthermalresistance ?Veryfastsoftrecoveryantiparalleldiode Applications ?Photovoltaicinverters ?Uninterr

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STGW60V60DF

Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,60Averyhighspeed

Features ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?Tail-lessswitchingoff ?VCE(sat)=1.85V(typ.)@IC=60A ?Tightparameterdistribution ?Safeparalleling ?Lowthermalresistance ?Veryfastsoftrecoveryantiparalleldiode Applications ?Photovoltaicinverters ?Uninterr

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STGW60V60DF

Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,60Averyhighspeed

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STGW60V60F

Lowthermalresistance

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STGWA60V60DF

Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,60Averyhighspeed

Features ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?Tail-lessswitchingoff ?VCE(sat)=1.85V(typ.)@IC=60A ?Tightparameterdistribution ?Safeparalleling ?Lowthermalresistance ?Veryfastsoftrecoveryantiparalleldiode Applications ?Photovoltaicinverters ?Uninterr

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    STGWT60V60DF

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，60A

  • 開關(guān)能量：

    750μJ（開），550μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    60ns/208ns

  • 測試條件：

    400V，60A，4.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 描述：

    IGBT 600V 80A 375W TO3P

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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