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STGWT40H60DLFB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 40 A high speed; ? Maximum junction temperature: TJ= 175 °C\n? High speed switching series\n? Minimized tail current\n? Low saturation voltage: VCE(sat)= 1.6 V (typ.) @ IC= 40 A\n? Tight parameters distribution? Safe paralleling\n? Low thermal resistance\n? Low VFsoft recovery co-packaged diode\n? Lead free package;

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.\n \n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWT40H60DLFB

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/gwt40h60dlfb/marking.html">GWT40H60DLFB；Package：TO-3P；Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 40 A high speed

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefieldstopstructure.ThedeviceispartofthenewHBseriesofIGBTs,whichrepresentanoptimumcompromisebetweenconductionandswitchinglossestomaximizetheefficiencyofanyfrequencyconverter.Furth

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWT40H60DLFB

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

MBR40H60CT

DualCommonCathodeSchottkyRectifiers

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBR40H60CT

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

Feaures Highefficienctyoperation Lowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249 Std (Halogen Free) Lowstoredchargemajoritycarrierconduction

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

MBR40H60CT

Dualrectifierconstruction,positivecentertap

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

MBR40H60CT

DualCommon-CathodeSchottkyRectifiers

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBR40H60CT

DualSchottkyBarrierRectifiers

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBR40H60CT

Dualrectifierconstruction,positivecentertap

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

MBR40H60PT

DualCommon-CathodeSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGWT40H60DLFB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，40A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    363μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    -/142ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，40A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
STMicroelectronics
24+
NA
3000
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TO-3P
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更多STGWT40H60DLFB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 14:16:00

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