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STGWT30H65FB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed; ? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C\n? High speed switching series\n? Minimized tail current\n? VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A? Tight parameters distribution\n? Safe paralleling\n? Low thermal resistance;

These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.\n \n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWT30H65FB

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/gwt30h65fb/marking.html">GWT30H65FB；Package：TO-3P；Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWT30H65FB

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 650V 30A 260W TO3PL

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STGFW30H65FB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,30Ahighspeed

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STGP30H65F

Lowthermalresistance

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STGW30H65FB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,30Ahighspeed

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGWT30H65FB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，30A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    151μJ（開(kāi)），293μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    37ns/146ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 650V 30A 260W TO3PL

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多STGWT30H65FB供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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