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STGWT20V60F

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed; ? Maximum junction temperature: TJ= 175 °C\n? Very high speed switching series\n? Tail-less switching off\n? Low saturation voltage: VCE(sat)= 1.8 V (typ.) @ IC= 20 A? Tight parameters distribution\n? Safe paralleling\n? Low thermal resistance\n? Lead free package;

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. The device is part of the \"V\" series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.\n \n

STSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGWT20V60F

Marking：GWT20V60F；Package：TO-3P；600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGWT20V60F

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 40A 167W TO3PF

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

20V60

20AmperelowvfSchottkydiode

FEATURE .Forsurfacemountedapplication .Highcurrentcapability .Lowforwardvoltagedrop .Lowpowerloss,highefficiency .Highsurgecurrentcapability .Hightemperaturesolderingguaranteed: 260℃/10secondsatterminals.

ASEMIASEMI TECHNOLOGY., LTD

強元芯電子強元芯電子（廣東）有限公司

GB20V60DF

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

GP20V60DF

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

GW20V60DF

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

MGBR20V60

MOSGATEDBARRIERRECTIFIER

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

MGBR20V60C

DUALMOSGATEDBARRIERRECTIFIERS

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

MGBR20V60CG-TND-R

DUALMOSGATEDBARRIERRECTIFIERS

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    STGWT20V60F

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，20A

  • 開關能量：

    200μJ（開），130μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    38ns/149ns

  • 測試條件：

    400V，20A，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 600V 40A 167W TO3PF

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
STMicroelectronics
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