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STGWT20H60DF

Marking：GWT20H60DF；Package：TO-3P；600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWT20H60DF

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 40A 167W TO3PF

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

FCF20H60

FastRecoveryDiode

KSSKyocera Kinseki Corpotation

京瓷京瓷株式會(huì)社

FERD20H60C

60Vfield-effectrectifierdiode

Features ?STadvancedrectifierprocess ?Stableleakagecurrentoverreversevoltage ?Reducedleakagecurrent ?Lowforwardvoltagedrop ?Highfrequencyoperation Description ThedeviceisbasedonaproprietarytechnologythatachievesthebestinclassVF/IRtrade-offforagivensi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

GMR20H60C

20ASCHOTTKYRECTIFIER

GAMMA

GAMMA electronics

MBR20H60CT

DualSchottkyBarrierRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBR20H60CT

DualCommon-CathodeSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBR20H60CT

DualCommonCathodeSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBR20H60CT

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

Feaures Highefficienctyoperation Lowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249 Std (Halogen Free) Lowstoredchargemajoritycarrierconduction

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

MBRB20H60CT

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

Feaures Highefficienctyoperation Lowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249 Std(HalogenFree) Lowstoredchargemajoritycarrierconduction

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGWT20H60DF

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    209μJ（開），261μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    42.5ns/177ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 600V 40A 167W TO3PF

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多STGWT20H60DF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-23 14:20:00

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