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STGW38IH130D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
STGW38IH130D |
| 參數(shù)屬性 | STGW38IH130D 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1300V 63A 250W TO247 |
| 功能描述 | 33 A - 1300 V - very fast IGBT |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
822.27 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
17 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-1 15:59:00 |
| 人工找貨 | STGW38IH130D價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
STGW38IH130D規(guī)格書詳情
STGW38IH130D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW38IH130D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
描述 Description
This device is a very fast IGBT developed using advanced PowerMESH? technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. This device is well-suited for resonant or soft-switching applications.
特性 Features
■ Low saturation voltage
■ High current capability
■ Low switching loss
■ Low static and peak forward voltage drop free
wheeling diode
Applications
■ Induction cooking, microwave ovens
■ Soft-switching applications
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STGW38IH130D
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
PowerMESH?
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，20A
- 開關(guān)能量：
3.4mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
-/284ns
- 測試條件：
960V，20A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247 長引線
- 描述：
IGBT 1300V 63A 250W TO247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
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NA |
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