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STGW30V60F數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

STGW30V60F

參數(shù)屬性

STGW30V60F 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 60A 260W TO247

功能描述

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
IGBT 600V 60A 260W TO247

封裝外殼

TO-247-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-24 20:48:00

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STGW30V60F規(guī)格書詳情

描述 Description

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the V series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

特性 Features

? Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
? Tail-less switching off
? VCE(sat)= 1.85 V (typ.) @ IC= 30 A
? Tight parameters distribution
? Safe paralleling
? Low thermal resistance

簡(jiǎn)介

STGW30V60F屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGW30V60F晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :STGW30V60F

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :TO-247

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :600

  • PTOT_max(W)

    :260

  • Freewheeling diode

    :false

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :30

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :60

  • VCE(sat)_typ(V)

    :1.85

  • Qg_typ(nC)

    :163

  • Eon_typ(mJ)

    :0.38

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.23

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST
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ST
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ST
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TO-247
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