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STGW20V60DF

600 V、20 A超高速溝槽柵場截止V系列IGBT; ? Maximum junction temperature: TJ= 175 °C \n? Very high speed switching series \n? Tail-less switching off \n? Low saturation voltage: VCE(sat)= 1.8 V (typ.) @ IC= 20 A \n? Tight parameters distribution \n? Safe paralleling \n? Low thermal resistance \n? Very fast soft recovery antiparallel diode \n? Lead free package;

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. The device is part of the \"V\" series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STGW20V60DF

600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBT

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

STGW20V60DF

Low thermal resistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STGW20V60DF

Package:TO-247-3;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 40A 167W TO247

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STGW38IH130D其他被動元件

ST/意法
TO-247

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相關(guān)企業(yè):深圳龐田科技有限公司

ST/意法

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    STGW20V60DF

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    200μJ(開),130μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    38ns/149ns

  • 測試條件:

    400V,20A,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 40A 167W TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STGW20V60DF供應(yīng)商 更新時間2025-7-31 8:12:00