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STGW19NC60W數據手冊分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

STGW19NC60W

參數屬性

STGW19NC60W 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 600V 42A 140W TO247

功能描述

Ultra fast \"W\" series
IGBT 600V 42A 140W TO247

封裝外殼

TO-247-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導體 意法半導體集團

數據手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-1 20:00:00

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STGW19NC60W規(guī)格書詳情

描述 Description

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH? process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.

特性 Features

High frequency operation
Low C
RES / C
IES ratio (no cross-conductionsusceptibility)

簡介

STGW19NC60W屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產的STGW19NC60W晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

技術參數

更多
  • 產品編號:

    STGW19NC60W

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,12A

  • 開關能量:

    81μJ(開),125μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    25ns/90ns

  • 測試條件:

    390V,12A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247 長引線

  • 描述:

    IGBT 600V 42A 140W TO247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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