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STGP8NC60KD

IGBT

DESCRIPTION ·Loweronvoltagedrop(VCE(sat)) ·Verysoftultrafastrecoveryantiparalleldiode APPLICATIONS ·Highfrequencymotorcontrols ·SMPSandPFCinbothhardswitchandresonanttopologies ·Motordrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STGP8NC60KD

600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STGP8NC60KD

Package:TO-220-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 15A 65W TO220

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STP8NC60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STP8NC60

N-CHANNEL600V-0.85ohm-7ATO-220/TO-220FPPowerMesh??IMOSFET

DESCRIPTION ThePowerMESH?IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY?.Thelayoutre finementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. APPLICATION

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STP8NC60FP

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STP8NC60FP

N-CHANNEL600V-0.85ohm-7ATO-220/TO-220FPPowerMesh??IMOSFET

DESCRIPTION ThePowerMESH?IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY?.Thelayoutre finementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. APPLICATION

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    STGP8NC60KD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.75V @ 15V,3A

  • 開關(guān)能量:

    55μJ(開),85μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    17ns/72ns

  • 測試條件:

    390V,3A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 600V 15A 65W TO220

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST(意法半導(dǎo)體)
24+
TO-220
942
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
詢價
ST/意法半導(dǎo)體
22+
TO-220-3
6000
原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票
詢價
ST/意法
24+
TO-220AB
6000
只做全新原裝正品現(xiàn)貨,假一罰十
詢價
ST
20000
原裝現(xiàn)貨,可追溯原廠渠道
詢價
ST
24+
TO-220-3
982
詢價
STM
23+
TO-220F
8650
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!
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STM
1809+
TO-220
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就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
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ST
24+
QFN
10000
原裝正品價格優(yōu)勢!歡迎詢價QQ:385913858TEL:15
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ST(意法)
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正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持
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22+
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435
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,
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更多STGP8NC60KD供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 8:12:00