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STGP19NC60H

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/gp19nc60h/marking.html">GP19NC60H；Package：TO-220；19 A - 600 V - very fast IGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH? processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Highfrequencyoperation Applications ■Highfrequencymotordrives ■SMPSandPFCi

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP19NC60H

19 A - 600 V - very fast IGBT;

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STGP19NC60H

19 A - 600 V - very fast IGBT

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP19NC60H

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 40A 130W TO220

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STGP19NC60HD

19 A、600 V超快IGBT，帶超高速二極管; ? Low on-voltage drop (VCE(sat)) \n? Very soft Ultrafast recovery anti-parallel diode;

These devices are ultrafast IGBT. They utilize the advanced Power MESH? process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.\n\n

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19 A - 600 V - very fast IGBTE[

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19 A - 600 V - very fast IGBT

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Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 40A 130W TO220

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGP19NC60H

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，12A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    85μJ（開(kāi)），189μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    25ns/97ns

  • 測(cè)試條件：

    390V，12A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    IGBT 600V 40A 130W TO220

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多STGP19NC60H供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 15:30:00

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