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STGFW40V60F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
STGFW40V60F |
| 參數(shù)屬性 | STGFW40V60F 封裝/外殼為TO-3P-3 整包；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF |
| 功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | TO-3PF / TO-3P-3 整包 |
| 文件大小 |
1.89413 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
24 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-3 10:38:00 |
| 人工找貨 | STGFW40V60F價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
STGFW40V60F規(guī)格書詳情
STGFW40V60F屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGFW40V60F晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STGFW40V60F
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，40A
- 開關(guān)能量：
456μJ（開），411μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
52ns/208ns
- 測試條件：
400V，40A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-3P-3 整包
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-3PF
- 描述：
IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
1926+ |
TO-3PF |
6852 |
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詢價(jià) | ||
ST/意法 |
2023+ |
TO3P |
6893 |
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ST |
25+ |
TO-3PF |
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詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
9999 |
詢價(jià) | |||
ST |
22+ |
TO3PF |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
ST |
1807 |
只做正品 |
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NA |
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