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STGF20M65DF2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGF20M65DF2
廠商型號

STGF20M65DF2

參數(shù)屬性

STGF20M65DF2 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP

功能描述

Trench gate Field-Stop IGBT

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

398.65 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

ISC

中文名稱

無錫固電

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-7 23:00:00

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STGF20M65DF2規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Low Saturation Voltage:VCE(sat)=1.55V@IC= 15A

· High Current Capability

· High Input Impedance

· Low thermal resistance

APPLICATIONS

· Synchronous Rectification in SMPS

· Motor Drives

· UPS,PFC

· General purpose inverter

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    STGF20M65DF2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    M

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    140μJ(開),560μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    26ns/108ns

  • 測試條件:

    400V,20A,12 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220FP

  • 描述:

    IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
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