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STGD10HF60KD

汽車級(jí)10 A、600 V短路保護(hù)IGBT，帶超高速二極管; ? Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified \n? Low on-voltage drop (VCE(sat)) \n? Low Cres/ Cies ratio (no cross conduction susceptibility) \n? Switching losses include diode recovery energy \n? Short-circuit rated \n? Very soft Ultrafast recovery anti-parallel diode;

This device utilizes the advanced PowerMESH? process for the IGBT and the Turbo 2 Ultrafast high voltage technology for the diode. The combination results in a very good trade-off between conduction losses and switching behavior rendering the product ideal for diverse high voltage applications operating at high frequencies.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGD10HF60KD

Automotive-grade 10 A, 600 V, short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGD10HF60KD

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 10A DPAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGF10HF60KD

10A-600V-short-circuitruggedIGBT

Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Operatingjunctiontemperatureupto175°C ■LowCres/Ciesratio(nocrossconduction susceptibility) ■Tightparameterdistribution ■Ultrafastsoft-recoveryantiparalleldiode ■Short-circuitrugged Applications ■Motordrives ■Highfre

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGF10HF60KD

10A-600V-short-circuitruggedIGBT

Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Operatingjunctiontemperatureupto175°C ■LowCres/Ciesratio(nocrossconduction susceptibility) ■Tightparameterdistribution ■Ultrafastsoft-recoveryantiparalleldiode ■Short-circuitrugged Applications ■Motordrives ■Highfre

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP10HF60KD

10A-600V-short-circuitruggedIGBT

Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Operatingjunctiontemperatureupto175°C ■LowCres/Ciesratio(nocrossconduction susceptibility) ■Tightparameterdistribution ■Ultrafastsoft-recoveryantiparalleldiode ■Short-circuitrugged Applications ■Motordrives ■Highfre

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP10HF60KD

10A-600V-short-circuitruggedIGBT

Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Operatingjunctiontemperatureupto175°C ■LowCres/Ciesratio(nocrossconduction susceptibility) ■Tightparameterdistribution ■Ultrafastsoft-recoveryantiparalleldiode ■Short-circuitrugged Applications ■Motordrives ■Highfre

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGD10HF60KD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.75V @ 15V，5A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    45μJ（開(kāi)），105μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    9.5ns/87ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，5A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 600V 10A DPAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
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更多STGD10HF60KD供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 8:12:00

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