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STGB30H60DF中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STGB30H60DF
廠商型號

STGB30H60DF

功能描述

600 V, 30 A high speed trench gate field-stop IGBT

絲印標識

GB30H60DF

封裝外殼

D2PAK

文件大小

1.95033 Mbytes

頁面數(shù)量

24

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-5 23:00:00

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STGB30H60DF規(guī)格書詳情

描述 Description

This device is an IGBT developed using an

advanced proprietary trench gate and field stop

structure. This IGBT series offers the optimum

compromise between conduction and switching

losses, maximizing the efficiency of very high

frequency converters. Furthermore, a positive

VCE(sat) temperature coefficient and very tight

parameter distribution result in easier paralleling

operation.

特性 Features

? High speed switching

? Tight parameters distribution

? Safe paralleling

? Low thermal resistance

? Short circuit rated

? Ultrafast soft recovery antiparallel diode

Applications

? Inverter

? UPS

? PFC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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