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STGB30H60DF中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
STGB30H60DF |
功能描述 | 600 V, 30 A high speed trench gate field-stop IGBT |
絲印標識 | |
封裝外殼 | D2PAK |
文件大小 |
1.95033 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
24 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
原廠標識 | STMICROELECTRONICS |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-5 23:00:00 |
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STGB30H60DF規(guī)格書詳情
描述 Description
This device is an IGBT developed using an
advanced proprietary trench gate and field stop
structure. This IGBT series offers the optimum
compromise between conduction and switching
losses, maximizing the efficiency of very high
frequency converters. Furthermore, a positive
VCE(sat) temperature coefficient and very tight
parameter distribution result in easier paralleling
operation.
特性 Features
? High speed switching
? Tight parameters distribution
? Safe paralleling
? Low thermal resistance
? Short circuit rated
? Ultrafast soft recovery antiparallel diode
Applications
? Inverter
? UPS
? PFC
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半導(dǎo)體) |
24+ |
TO2633 |
7350 |
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詢價 | ||
ST |
1932+ |
TO-263 |
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ST |
1926+ |
D2PAK |
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詢價 | ||
ST |
25+ |
TO-263 |
12300 |
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ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
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詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
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詢價 | ||
ST |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
9999 |
詢價 | |||
STMicroelectronics |
2022+ |
D2PAK |
38550 |
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詢價 |