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STGB20N40LZ分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
STGB20N40LZ |
參數(shù)屬性 | STGB20N40LZ 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 390V 25A 150W D2PAK |
功能描述 | Low saturation voltage |
封裝外殼 | TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB |
文件大小 |
1.14213 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
20 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
中文名稱 | 意法半導體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-21 14:36:00 |
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STGB20N40LZ規(guī)格書詳情
STGB20N40LZ屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGB20N40LZ晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
STGB20N40LZ
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
Automotive, AEC-Q101, PowerMESH?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
1.6V @ 4V,6A
- 輸入類型:
邏輯
- 25°C 時 Td(開/關)值:
700ns/4.3μs
- 測試條件:
300V,10A,1 千歐,5V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 供應商器件封裝:
D2PAK(TO-263)
- 描述:
IGBT 390V 25A 150W D2PAK
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2511 |
D2PAK |
16900 |
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詢價 | ||
ST |
22+ |
TO263 (D2Pak) |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3546 |
進口原裝正品優(yōu)勢供應 |
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ST/意法半導體 |
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ST |
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D2PAK |
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ST/意法半導體 |
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D2PAK-3 |
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ST/意法半導體 |
25 |
D2PAK-3 |
6000 |
原裝正品 |
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ST/意法 |
24+ |
NA/ |
20000 |
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ST(意法半導體) |
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ST/意法 |
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D2PAK |
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